Nanostrukturierte Heusler Materialien

In diesem Projekt nutzen wir nanostrukturierte Heusler Verbindungen mit der C1b Kristallstruktur als Modellverbindungen. Im Theorie Teil des Projektes werden wir ab-initio Methoden der Bandstrukturrechnung ausbauen, um die Transporteigenschaften thermoelektrischer Materialien zu beschreiben. Mittels Boltzmann Transport Theorie werden wir elektrische und thermische Leitfähigkeit, sowie die Thermokraft auf Basis der ab-initio bestimmten Elektronenstruktur berechnen. Im experimentellen Teil des Projektes werden wir Übergitter der Verbindungen TiNiSn und TiPtSn herstellen. Diese Übergitter werden maßgeschneidert um die thermische Leitfähigkeit im System zu verringern ohne die elektrische Leitfähigkeit zu beeinträchtigen. Hierdurch soll eine Erhöhung der thermoelektrischen Gütezahl ZT  erreicht werden. Die Herstellung der Schichten erfolgt durch Magnetron sputtern. Den Widerstand, die thermische Leitfähigkeit und den Seebeck-Koeffizienten der Schichten werden wir in einem Temperaturbereich von 2K bis 1300K bestimmen.